為什么是3D NAND？
3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND（納米制程技術(shù)）截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D NAND結(jié)構(gòu)是以垂直半導(dǎo)體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結(jié)構(gòu)形成多電柵級(jí)存儲(chǔ)器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲(chǔ)密度的同時(shí)降低成本。
以三星的3D NAND產(chǎn)品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機(jī)寫(xiě)入功能。3D NAND Flash技術(shù)的出現(xiàn)及其帶來(lái)的市場(chǎng)格局變化，為我國(guó)集成電路制造企業(yè)進(jìn)入主流存儲(chǔ)器制造領(lǐng)域提供了有利的契機(jī)。洪沨認(rèn)為，相對(duì)于DRAM，后者對(duì)于后進(jìn)者的技術(shù)和成本壁壘更高。
調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insight報(bào)告顯示，2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開(kāi)始以每年17.1%的速度快速下降，3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200％的年均復(fù)合增長(zhǎng)率遞增，預(yù)計(jì)2020年達(dá)到NAND Flash總量的70%的水平。未來(lái)3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品，成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。
洪沨指出，從NAND Flash產(chǎn)品的主流廠(chǎng)商態(tài)勢(shì)分析來(lái)看，東芝/閃迪的每10萬(wàn)片單位產(chǎn)出高于三星、美光和英特爾，但在3D NAND的布局來(lái)看，三星已經(jīng)領(lǐng)先于其他廠(chǎng)商，目前3D NAND技術(shù)占比已達(dá)到11%。
產(chǎn)品目標(biāo)和進(jìn)展
洪沨表示，武漢新芯在電荷俘獲型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的長(zhǎng)期研發(fā)和量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)成為其在3D NAND 研發(fā)上的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。武漢新芯將通過(guò)完成先導(dǎo)產(chǎn)品的研發(fā)，迅速達(dá)到3D NAND國(guó)際主流技術(shù)水平并開(kāi)始切入存儲(chǔ)器國(guó)際市場(chǎng)，同時(shí)會(huì)全力推動(dòng)整體產(chǎn)能擴(kuò)充。在2020年達(dá)到月產(chǎn)30萬(wàn)片，進(jìn)入世界存儲(chǔ)器產(chǎn)品市場(chǎng)第一梯隊(duì)。
據(jù)洪沨透露，武漢新芯的產(chǎn)品及工藝模塊的研發(fā)推進(jìn)順利。今年5月，武漢新芯宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性成果，第一個(gè)存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過(guò)存儲(chǔ)器功能的電學(xué)驗(yàn)證。目前，在更高階層的工藝研發(fā)及存儲(chǔ)單元性能上，都取得了更多重要進(jìn)展。
為什么發(fā)展存儲(chǔ)器？
存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于大型云存儲(chǔ)運(yùn)算中心、服務(wù)器、電腦、手機(jī)及各類(lèi)電子產(chǎn)品中。存儲(chǔ)器處于半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)頭羊地位，發(fā)展態(tài)勢(shì)良好，2014年～2019年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到8%。2014年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約750億美金，占據(jù)整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的21%，預(yù)計(jì)2019年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1140億美金，約占半導(dǎo)體市場(chǎng)的30%。
洪沨表示，武漢新芯預(yù)計(jì)未來(lái)10年，主流存儲(chǔ)器具備的工藝穩(wěn)定、成本和價(jià)格等優(yōu)勢(shì)仍將繼續(xù)占據(jù)市場(chǎng)的主流。存儲(chǔ)器約占全球芯片生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能和固定資產(chǎn)投入的三分之一，武漢新芯需要在產(chǎn)業(yè)積累期長(zhǎng)期堅(jiān)持和持續(xù)不斷的投入。
一直以來(lái)，中國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)高達(dá)800億美元，占據(jù)全球95%以上的市場(chǎng)份額。而中國(guó)每年進(jìn)口的存儲(chǔ)芯片就占55%的全球市場(chǎng)份額。
武漢新芯擁有參與全球化競(jìng)爭(zhēng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)平臺(tái)，啟動(dòng)3D NAND項(xiàng)目，具備全球化視野。洪沨分享到，目前我們已擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的國(guó)際化管理團(tuán)隊(duì)，包括業(yè)界頂尖領(lǐng)軍人才和專(zhuān)家，并有大量的專(zhuān)業(yè)人才儲(chǔ)備。
全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)持續(xù)更新，對(duì)單顆芯片容量的密度要求越來(lái)越大。洪沨認(rèn)為，存儲(chǔ)器規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)明顯，產(chǎn)品種類(lèi)相對(duì)單一，價(jià)格敏感性高，只有保持規(guī)模經(jīng)營(yíng)，緊跟技術(shù)進(jìn)步，追求更低的制造成本，才有機(jī)會(huì)在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中勝出。全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新模式，將為實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略突破打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND（納米制程技術(shù)）截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D NAND結(jié)構(gòu)是以垂直半導(dǎo)體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結(jié)構(gòu)形成多電柵級(jí)存儲(chǔ)器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲(chǔ)密度的同時(shí)降低成本。
以三星的3D NAND產(chǎn)品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機(jī)寫(xiě)入功能。3D NAND Flash技術(shù)的出現(xiàn)及其帶來(lái)的市場(chǎng)格局變化，為我國(guó)集成電路制造企業(yè)進(jìn)入主流存儲(chǔ)器制造領(lǐng)域提供了有利的契機(jī)。洪沨認(rèn)為，相對(duì)于DRAM，后者對(duì)于后進(jìn)者的技術(shù)和成本壁壘更高。
調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insight報(bào)告顯示，2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開(kāi)始以每年17.1%的速度快速下降，3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200％的年均復(fù)合增長(zhǎng)率遞增，預(yù)計(jì)2020年達(dá)到NAND Flash總量的70%的水平。未來(lái)3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品，成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。
洪沨指出，從NAND Flash產(chǎn)品的主流廠(chǎng)商態(tài)勢(shì)分析來(lái)看，東芝/閃迪的每10萬(wàn)片單位產(chǎn)出高于三星、美光和英特爾，但在3D NAND的布局來(lái)看，三星已經(jīng)領(lǐng)先于其他廠(chǎng)商，目前3D NAND技術(shù)占比已達(dá)到11%。
產(chǎn)品目標(biāo)和進(jìn)展
洪沨表示，武漢新芯在電荷俘獲型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的長(zhǎng)期研發(fā)和量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)成為其在3D NAND 研發(fā)上的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。武漢新芯將通過(guò)完成先導(dǎo)產(chǎn)品的研發(fā)，迅速達(dá)到3D NAND國(guó)際主流技術(shù)水平并開(kāi)始切入存儲(chǔ)器國(guó)際市場(chǎng)，同時(shí)會(huì)全力推動(dòng)整體產(chǎn)能擴(kuò)充。在2020年達(dá)到月產(chǎn)30萬(wàn)片，進(jìn)入世界存儲(chǔ)器產(chǎn)品市場(chǎng)第一梯隊(duì)。
據(jù)洪沨透露，武漢新芯的產(chǎn)品及工藝模塊的研發(fā)推進(jìn)順利。今年5月，武漢新芯宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性成果，第一個(gè)存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過(guò)存儲(chǔ)器功能的電學(xué)驗(yàn)證。目前，在更高階層的工藝研發(fā)及存儲(chǔ)單元性能上，都取得了更多重要進(jìn)展。
為什么發(fā)展存儲(chǔ)器？
存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于大型云存儲(chǔ)運(yùn)算中心、服務(wù)器、電腦、手機(jī)及各類(lèi)電子產(chǎn)品中。存儲(chǔ)器處于半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)頭羊地位，發(fā)展態(tài)勢(shì)良好，2014年～2019年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到8%。2014年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約750億美金，占據(jù)整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的21%，預(yù)計(jì)2019年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1140億美金，約占半導(dǎo)體市場(chǎng)的30%。
洪沨表示，武漢新芯預(yù)計(jì)未來(lái)10年，主流存儲(chǔ)器具備的工藝穩(wěn)定、成本和價(jià)格等優(yōu)勢(shì)仍將繼續(xù)占據(jù)市場(chǎng)的主流。存儲(chǔ)器約占全球芯片生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能和固定資產(chǎn)投入的三分之一，武漢新芯需要在產(chǎn)業(yè)積累期長(zhǎng)期堅(jiān)持和持續(xù)不斷的投入。
一直以來(lái)，中國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)高達(dá)800億美元，占據(jù)全球95%以上的市場(chǎng)份額。而中國(guó)每年進(jìn)口的存儲(chǔ)芯片就占55%的全球市場(chǎng)份額。
武漢新芯擁有參與全球化競(jìng)爭(zhēng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)平臺(tái)，啟動(dòng)3D NAND項(xiàng)目，具備全球化視野。洪沨分享到，目前我們已擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的國(guó)際化管理團(tuán)隊(duì)，包括業(yè)界頂尖領(lǐng)軍人才和專(zhuān)家，并有大量的專(zhuān)業(yè)人才儲(chǔ)備。
全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)持續(xù)更新，對(duì)單顆芯片容量的密度要求越來(lái)越大。洪沨認(rèn)為，存儲(chǔ)器規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)明顯，產(chǎn)品種類(lèi)相對(duì)單一，價(jià)格敏感性高，只有保持規(guī)模經(jīng)營(yíng)，緊跟技術(shù)進(jìn)步，追求更低的制造成本，才有機(jī)會(huì)在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中勝出。全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新模式，將為實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略突破打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
01月07日 18:14
