2016年4月5日，三星電子宣布，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實現(xiàn)了10nm級別工藝DDR4DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個量產(chǎn)20nmDDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。三星沒有披露新工藝的具體數(shù)字，只是模糊地稱之為10nm級別或者1xnm，而根據(jù)韓國媒體此前報道，三星用的是18nm，繼續(xù)領(lǐng)先SK海力士、美光等對手。
三星表示，新工藝克服了DRAM行業(yè)中的大量技術(shù)挑戰(zhàn)，包括獨有的單元設(shè)計技術(shù)、四重曝光技術(shù)(QPT)、超薄介質(zhì)層沉積技術(shù)等等，而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝，并未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。
新的1xnmDDR4內(nèi)存顆粒單顆容量8Gb(1GB)，頻率高達(dá)3200MHz，相比于20nm工藝下的DDR4-2400性能可提升30％，同時同等頻率下功耗降低10-20％，PC、主流服務(wù)器、大型企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、高性能計算系統(tǒng)中都有廣闊的前景，單條容量最大可做到128GB。
今年晚些時候，三星還會使用新工藝生產(chǎn)新的移動用DRAM內(nèi)存顆粒，面向智能手機(jī)和平板機(jī)領(lǐng)域。
01月07日 18:14
