儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）軍備競(jìng)賽再起，南韓記憶體大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加記憶體產(chǎn)能；紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現(xiàn)，埋下隱憂。
目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NAND Flash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓記憶體大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃記憶體廠，在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NAND Flash市場(chǎng)投下新變數(shù)。
稍早三星和美光也都宣布進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)。三星也正于京畿道平澤建設(shè)新廠，預(yù)定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元（134億美元），估計(jì)12寸晶圓產(chǎn)量可達(dá)20萬(wàn)片，雖然三星還未敲定生產(chǎn)項(xiàng)目，但市場(chǎng)推測(cè)，因三星DRAM市占已接近跨過(guò)50%門檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應(yīng)仍會(huì)以發(fā)展3D NAND Flash 為主。
半導(dǎo)體設(shè)備廠透露，目前六大NAND Flash晶片廠都有持續(xù)擴(kuò)充NAND Flash晶片計(jì)畫(huà)，不過(guò)在各家從2D轉(zhuǎn)3D NAND晶片，因制程難度高，造成供應(yīng)不足，使今年NAND晶片供應(yīng)短缺，預(yù)料隨3D NAND晶片下半年制程逐步順利，缺貨問(wèn)題會(huì)逐漸紓解。
01月07日 18:14
