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東芝是NAND閃存技術(shù)的發(fā)明者，但是因?yàn)楹穗姌I(yè)務(wù)的虧損，東芝現(xiàn)在要把閃存業(yè)務(wù)多數(shù)股權(quán)賣掉以籌資自救，還好NAND閃存市場這一年來行情大好，四大豪門都賺到錢了，東芝閃存業(yè)務(wù)也成為財(cái)團(tuán)的追捧對象，賣個(gè)好價(jià)錢不是問題。不過三星在全球NAND閃存依然是統(tǒng)治性地位，去年?duì)I收141.51億美元，同比暴漲了34%，遙遙領(lǐng)先第二名的東芝。
來自DRAMeXchange最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，三星公司2016年NAND業(yè)務(wù)營收達(dá)到了141.51億美元，比上一年增長了34%，不用說這次業(yè)績大漲的背后主要原因還是NAND閃存自去年下半年來持續(xù)不斷的大漲價(jià)，直到現(xiàn)在都沒有停止，預(yù)計(jì)Q2季度還會繼續(xù)上漲。
東芝在NAND市場排名第二，去年?duì)I收為78.98億美元，同比增長了18.4%，與三星的差距還是非常大的。
話說回來，三星在NAND閃存市場上的地位也確實(shí)無可動搖，2D NAND時(shí)代制程工藝就領(lǐng)先其他廠商，3D NAND時(shí)代同樣保持優(yōu)勢，2013年就開始量產(chǎn)V-NAND閃存了，其他公司要在2015年甚至2016年才大規(guī)模量產(chǎn)3D NAND閃存，落后三星兩三年的時(shí)間。
從去年底到現(xiàn)在，東芝/西數(shù)、SK Hynix、美光/Intel都加大了投資力度建設(shè)新廠，大幅提升3D NAND閃存產(chǎn)能，3D NAND閃存的堆棧層數(shù)也從目前的24層、32層陸續(xù)增加到48層、64層，多的甚至可以達(dá)到72層，這都會進(jìn)一步提高NAND閃存的容量和產(chǎn)能。
NAND閃存市場目前被這幾家公司壟斷，考慮到市場需求問題，恐怕短時(shí)間內(nèi)是很難看到降價(jià)的可能了，不過國內(nèi)的閃存廠已經(jīng)開工了，長江存儲研發(fā)的32層堆棧3D閃存在性能、可靠性等方面已經(jīng)達(dá)標(biāo)，最快今年底能問世，但大規(guī)模量產(chǎn)上市很有可能是在2018年。
01月07日 18:14
