7月6日晚間消息，來自臺灣地區(qū)的行業(yè)消息稱，蘋果公司(以下簡稱“蘋果”)新一代智能手機(jī)iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND閃存芯片供應(yīng)不足的問題。
自iPhone 7開始，蘋果引入了新型閃存3D NAND閃存。這種新型閃存由英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存的限制。
但來自臺灣地區(qū)的行業(yè)消息稱，蘋果的3D NAND閃存供應(yīng)商SK Hynix和東芝的成品率均較低，導(dǎo)致產(chǎn)量較之前的預(yù)期低30%。
為了解決該問題，蘋果不得不將三星納入到閃存供應(yīng)商之列。與SK Hynix和東芝相比，三星的3D NAND閃存成品率比較穩(wěn)定，因此產(chǎn)量有保證。
在iPhone 7中，蘋果使用了48層NAND閃存。有消息稱， iPhone 8的NAND閃存將達(dá)到64層，意味著同等空間下將能存儲更多數(shù)據(jù)額。
凱基證券(KGI)分析師郭明錤(Ming-Chi Kuo)本周一曾表示，今年iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8將配備64GB和256GB兩種存儲空間選項。
由于財大氣粗，蘋果可以確保自己的3D NAND閃存供應(yīng)量。而其他手機(jī)廠商就沒有這么幸運了，必將受到供應(yīng)量有限的影響。據(jù)預(yù)計，3D NAND供應(yīng)問題要到2018年才能得到緩解。(李明)
01月07日 18:14
