長期以來，我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展落后，沒有量產(chǎn)芯片顆粒的能力，嚴(yán)重依賴國外芯片顆粒。在中國的進(jìn)口貿(mào)易中，僅2016年1月份到10月份，中國在進(jìn)口芯片上就花費(fèi)了1.2萬億人民幣，是花費(fèi)在原油進(jìn)口上的兩倍。好在現(xiàn)在中國正在加大在芯片領(lǐng)域的投資，進(jìn)展尚佳。人們希冀國產(chǎn)內(nèi)存能夠打破DRAM的價(jià)格壟斷，從而購買更為廉價(jià)的內(nèi)存，但事實(shí)果真如此嗎？
國產(chǎn)內(nèi)存進(jìn)展一覽：良品率低、技術(shù)不成熟
DRAM研發(fā)是一項(xiàng)極其燒錢的技術(shù)。2016年，紫光集團(tuán)總耗資1000億相繼在武漢、南京、成都開工建設(shè)了存儲(chǔ)芯片與存儲(chǔ)器制造工廠，目標(biāo)打造國產(chǎn)晶圓及DRAM顆粒和3D NAND。而這其中，DRAM技術(shù)研發(fā)難度最大，進(jìn)展也是最緩慢的。
在2017年末，電商平臺(tái)流出了少量紫光DDR3內(nèi)存，其DRAM技術(shù)來源于紫光集團(tuán)收購的英飛凌科技下在存儲(chǔ)事業(yè)部，并且產(chǎn)能一直不足，良品率低的問題也沒解決，所以并未正式售賣。2018年2月28日，紫光集團(tuán)宣布旗下的DDR4內(nèi)存將在年內(nèi)逐步推向市場，坦然承認(rèn)其銷售規(guī)模不會(huì)太高，對(duì)年度財(cái)報(bào)影響較小。
前我們可以購買到未經(jīng)公開銷售的紫光DDR4內(nèi)存，這款內(nèi)存還沒有采用紫光顆粒，原因當(dāng)然還是DRAM產(chǎn)能不足。采用紫光顆粒的DDR3內(nèi)存表現(xiàn)還可以，經(jīng)過網(wǎng)友們測(cè)試，紫光DDR3內(nèi)存可以在默認(rèn)電壓下超頻至2000MHz。不過這也沒什么可奇怪的，畢竟DDR3內(nèi)存的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)就這樣。
在價(jià)格上，紫光內(nèi)存似乎不太“良心”。DDR4 4GB內(nèi)存高達(dá)420元，和人們希望的國產(chǎn)內(nèi)存打破國外壟斷價(jià)格的愿望相差甚遠(yuǎn)，與其他品牌內(nèi)存相比也沒有什么優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，紫光內(nèi)存的真正定價(jià)還要等正式上市我們才能公正的去評(píng)論。
國產(chǎn)內(nèi)存和內(nèi)存降價(jià)無關(guān)
內(nèi)存價(jià)格兇猛，一些國人期待國產(chǎn)內(nèi)存可以打破國外技術(shù)壟斷，內(nèi)存價(jià)格可以降下來。但這里我要為大家潑一盆冷水，因?yàn)閲a(chǎn)內(nèi)存短期內(nèi)暫時(shí)無法影響DRAM的價(jià)格走勢(shì)，原因有三：
1、紫光集團(tuán)內(nèi)存產(chǎn)能較小，市場規(guī)模也小，無法與三星、美光、海力士等DRAM大廠抗衡。
2、2018年內(nèi)存需求量依舊非常大，再加上原材料現(xiàn)在正處于供應(yīng)量大幅增加階段，這導(dǎo)致了紫光內(nèi)存的成本很高，實(shí)際產(chǎn)品的價(jià)格也并不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)下跌。
3、無論是產(chǎn)品的品牌效應(yīng)還是技術(shù)，國產(chǎn)紫光內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)都不大，短期難以盈利。無法影響財(cái)政，所以也沒有能力打價(jià)格戰(zhàn)。
看到這兒你可能會(huì)問，那國家費(fèi)這么大力氣研發(fā)內(nèi)存有什么用？
對(duì)于我們個(gè)人而言，內(nèi)存國產(chǎn)和進(jìn)口沒什么區(qū)別，但上升到國家高度上，國產(chǎn)內(nèi)存的重要性不亞于國產(chǎn)CPU和國產(chǎn)系統(tǒng)。早在2015年，我國超算行業(yè)就遇到美國商務(wù)部禁售Intel至強(qiáng)處理器的事件。美國商務(wù)部于2015年2月18日發(fā)布的一份通知稱，使用了兩款英特爾微處理器芯片的天河二號(hào)系統(tǒng)和早先的天河1號(hào)A系統(tǒng)，“據(jù)信被用于核爆炸模擬”。
所以我們可以看到，如果技術(shù)受制于人，未來必然會(huì)面對(duì)更多的禁售事件。此外，內(nèi)存技術(shù)掌握在他國手中也意味國家信息安全上存在阿喀琉斯之踵，風(fēng)險(xiǎn)極大?，F(xiàn)代社會(huì)電子產(chǎn)品無處不在，內(nèi)存是電子產(chǎn)品必不可少的關(guān)鍵部件。如果內(nèi)存存有“后門”程序，將導(dǎo)致國家諸多敏感信息泄露。
所以中國大力研發(fā)DRAM、3D NAND是國家級(jí)策略，內(nèi)存降價(jià)對(duì)中國半導(dǎo)體行業(yè)沒有一點(diǎn)好處，甚至還有風(fēng)險(xiǎn)，這點(diǎn)我們下文會(huì)提到。
警惕風(fēng)險(xiǎn)：備戰(zhàn)DDR5
前幾年很多DRAM廠商紛紛倒閉，只剩下三星、海力士、美光三家，究其原因還是DRAM不賺錢。
2017年市場需求太猛烈，DRAM廠商產(chǎn)能跟不上才導(dǎo)致了供不應(yīng)求、價(jià)格猛漲的“超級(jí)利好”時(shí)期。然而，全球第一和第二大dram生產(chǎn)商三星電子和sk海力士正在爭先恐后地?cái)U(kuò)大DRAM產(chǎn)量。報(bào)道預(yù)計(jì)，如果兩大巨頭繼續(xù)增產(chǎn)，那么全球DRAM的供求情況就會(huì)發(fā)生逆轉(zhuǎn)，DRAM價(jià)格也將暴跌。一旦內(nèi)存價(jià)格下跌，中國半導(dǎo)體行業(yè)很可能虧損甚至被拖垮。
此輪DRAM增廠并不是空穴來風(fēng)，有臺(tái)灣企業(yè)調(diào)查顯示“三星為了提高市場進(jìn)入壁壘，正在試圖增加dram產(chǎn)量，防止DRAM價(jià)格進(jìn)一步上漲。”
在2017年第三季度的業(yè)績發(fā)布會(huì)上三星電子也表示：“將會(huì)把華城工廠的nand閃存生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)換為DRAM生產(chǎn)設(shè)備，此外還會(huì)利用平澤工廠的2樓去生產(chǎn)DRAM。”全球最大的金融機(jī)構(gòu)之一美銀美林集團(tuán)預(yù)測(cè)，三星電子的DRAM生產(chǎn)能力在今后2年內(nèi)將增長20.3%。
sk海力士也不例外。2017年7月，sk海力士將投資規(guī)模增加了近40%，從而把在中國無錫的DRAM工廠的生產(chǎn)能力提升了兩倍。不過，報(bào)道稱，排在dram生產(chǎn)第三位的鎂光公司并沒有一起跟進(jìn)。在業(yè)內(nèi)人士看來，三星和海力士的行為都是在打壓中國半導(dǎo)體行業(yè)崛起的手段，內(nèi)存的國產(chǎn)之路，風(fēng)險(xiǎn)重重。
進(jìn)入2018年后，內(nèi)存行業(yè)將正式公布DDR5內(nèi)存規(guī)范，下一代DDR內(nèi)存的帶寬和密度都是現(xiàn)在的兩倍，技術(shù)難度也將達(dá)到前所未有的高度，DRAM面臨新一輪洗牌，這是中國企業(yè)的挑戰(zhàn)也是彎道超車的最佳時(shí)機(jī)，未來希望中國的半導(dǎo)體企業(yè)可以在DDR5內(nèi)存上大有作為，打破行業(yè)壟斷，彰顯大國風(fēng)采。
01月07日 18:14
