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韓國將投資約91億元:助三星等研發(fā)下一代半導(dǎo)體技術(shù)

這1.5萬億韓元支持資金的目標包括,確保存儲芯片領(lǐng)域下一代材料和設(shè)備的開發(fā)、培育邏輯芯片代工業(yè)務(wù)、吸引外商企業(yè)在韓國本土建立生產(chǎn)線。
   據(jù)ZDNet報道,韓國方面已經(jīng)對外釋放信號,將在未來10年拿出1.5萬億韓元(約合91億人民幣)支持下一代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。
 
  雖然韓國如今在DRAM和NAND存儲方面有著領(lǐng)導(dǎo)性的競爭力,但是整合已經(jīng)達到極限,需要開發(fā)新的材料和工具尋求突破。
 
  資料顯示,三星是目前全球最大存儲芯片供應(yīng)商,DRAM和NAND均居世界第一,DRAM的世界第二同樣是來自韓國的SK海力士,后者在閃存市場的份額排名第五。
 
  這1.5萬億韓元支持資金的目標包括,確保存儲芯片領(lǐng)域下一代材料和設(shè)備的開發(fā)、培育邏輯芯片代工業(yè)務(wù)、吸引外商企業(yè)在韓國本土建立生產(chǎn)線。
 
  另外,韓國也注意到了中國方面對半導(dǎo)體的重視程度增加,甚至從韓國企業(yè)物色人才。以集成電路為代表的信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)已成為中國制造2025規(guī)劃內(nèi)容重點領(lǐng)域之一,規(guī)劃提出要突破核心通用芯片、掌握先進的3D組裝技術(shù)并提升國產(chǎn)芯片的適配能力等,配套的資金和韓國規(guī)模相似。
 
  據(jù)悉,2016年,韓國在IT領(lǐng)域的研發(fā)支出為31.22萬億韓元(約合1904億元),占總研發(fā)支出的58%。
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