6月27日下午消息，華虹半導體宣布第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀錄。
Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢，使得芯片整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時，光罩層數(shù)也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續(xù)保持著高水準，可達到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力。
近年來，華虹半導體在90納米工藝節(jié)點連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺，在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器(MCU)等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。
01月07日 18:14
