不同于數(shù)位晶片、隨機(jī)存取記憶體(RAM)均須倚賴奈米先進(jìn)製程，才能提高邏輯密度及運(yùn)算效能，同時(shí)減輕功耗、尺寸及生產(chǎn)成本；PMIC等各種類比晶片對(duì)電晶體密度的要求則較低，反而著重在晶圓后段導(dǎo)線製作或深溝層隔離(Deep Trench Isolation, DTI)等技術(shù)，以改善導(dǎo)通電阻(RDS(ON))及各種操作特性，因此主流製程仍停留在0.18微米以上，晶圓尺寸也還在用六吋、八吋方桉，每2年晶片體積微縮比率僅有10～25%。 

    然而，楊登棠分析，目前行動(dòng)裝置PMIC內(nèi)部至少都有二十到五十個(gè)功能區(qū)塊，且接腳數(shù)超過(guò)兩百個(gè)；加上晶片商正致力研發(fā)類比/數(shù)位異質(zhì)晶片整合型PMIC，而新增的MCU、DSP、雜訊消除IC等數(shù)位核心一定要以先進(jìn)製程來(lái)做才能發(fā)揮經(jīng)濟(jì)效益，在PMIC整合度不斷翻升之下，朝奈米製程演進(jìn)的需求已開(kāi)始涌現(xiàn)。同時(shí)，相關(guān)大廠考量先進(jìn)製程成本較高，更研擬在2～3年內(nèi)全面改搭12吋晶圓生產(chǎn)，將晶片產(chǎn)出數(shù)量提升兩倍以上，進(jìn)而縮減10%左右的量產(chǎn)成本。 

    據(jù)悉，Dialog最新PMIC已整合多顆整流器(Regulator)、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、通用序列匯流排(USB)介面、立體聲音訊編碼器(Audio Codec)和其他驅(qū)動(dòng)IC，足見(jiàn)異質(zhì)整合PMIC設(shè)計(jì)熱潮已開(kāi)始在業(yè)界發(fā)酵。 

    因應(yīng)新世代PMIC製作需求，楊登棠透露，聯(lián)電將部署0.11微米、65/55奈米BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)等多元製程。其中，0.11微米方桉已開(kāi)始試產(chǎn)，今年底將正式上線，該公司旗下七個(gè)八吋晶圓廠將有五個(gè)支援此製程節(jié)點(diǎn)，至于65/55奈米BCD方桉則是未來(lái)主攻重點(diǎn)，將持續(xù)加碼投資。此外，聯(lián)電近期還與一家晶片廠攜手合作90奈米客製化PMIC製程，并已進(jìn)入測(cè)試階段。 

    拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員許漢州補(bǔ)充，從臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)等晶圓代工大廠的角度來(lái)看，行動(dòng)裝置或更前瞻的穿戴式電子產(chǎn)品基于尺寸、電容量和成本限制，除刺激應(yīng)用處理器、通訊處理器加速整合外，亦將驅(qū)動(dòng)PMIC成為系統(tǒng)另一個(gè)關(guān)鍵核心，逐步整併其他控制IC或數(shù)位硅智財(cái)(IP)，以實(shí)現(xiàn)輕薄、低功耗的高整合設(shè)計(jì)架構(gòu)。