三星周三宣布，獨(dú)立領(lǐng)先業(yè)界運(yùn)用10奈米鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程生產(chǎn)SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體），意謂著三星10奈米制程技術(shù)或許已經(jīng)超越臺(tái)積電（2330），甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都被三星超車。
SRAM速度比DRAM快，常被當(dāng)作中央處理器（CPU）的快取記憶體，藉以提高CPU存取效率。臺(tái)積電與英特爾在SRAM制程技術(shù)上目前還分別停留在16與14奈米。
三星成功開發(fā)新世代SRAM，也代表其處理器制程工藝進(jìn)階至10奈米的過程相當(dāng)順利，估計(jì)有望在2017年初進(jìn)入全面量產(chǎn)，將使三星爭(zhēng)搶處理器代工訂單占得有利位置。（ETnews.com）
與14奈米SRAM相比，10奈米可將128MB記憶體單位儲(chǔ)存面積縮小37.5%，配合10奈米打造的處理器，不僅運(yùn)算效能加快且占用空間更小。三星希望明年底將10奈米完成商業(yè)化。
01月07日 18:14
