記者24日從中國半導(dǎo)體協(xié)會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導(dǎo)體市場年會暨第六屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”獲悉，2017年有望成為國產(chǎn)存儲器大規(guī)模主流化發(fā)展元年。
3D NAND Flash、DRAM是智能手機存儲芯片，中國企業(yè)一直缺席這兩個主要市場。記者從2017中國半導(dǎo)體市場年會獲悉，這一狀況有望改變。目前國內(nèi)存儲器芯片主要參與者有三個，分別是湖北武漢的長江存儲、福建泉州的晉華存儲以及紫光集團。其中，長江存儲初期定位Flash 產(chǎn)品，后期將擴展DRAM產(chǎn)品，晉華存儲項目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團除直接入股長江存儲外，還將在不同地點布局Flash、DRAM產(chǎn)品。
賽迪顧問人士透露，在兩年的準備期之后，2017年上述項目將進入實質(zhì)性項目建設(shè)階段。長江存儲目前是進展最快的一方，其本身在Flash領(lǐng)域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗，有望率先量產(chǎn)。晉華項目已經(jīng)開工建設(shè)，項目運營由經(jīng)驗豐富的臺灣臺積電負責，技術(shù)則委托聯(lián)電進行開發(fā)。紫光集團目前在南京開工新建Flash產(chǎn)線。
01月07日 18:14
