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華為P10混用閃存,背后UFS和eMMC價(jià)格只相差7%

在當(dāng)下缺貨、漲價(jià)的背景下,華為在P10里同時(shí)使用了UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1三種閃存芯片的事件引發(fā)眾多消費(fèi)者、各大媒體熱議。接下來(lái)旭日大數(shù)據(jù)對(duì)eMMC和UFS這兩種閃存為讀者一一解讀。
   從2016年開(kāi)始,閃存芯片一直處于缺貨狀態(tài),伴隨著缺貨,閃存價(jià)格從第二季度一直上漲到2015年年初水平。在當(dāng)下缺貨、漲價(jià)的背景下,華為在P10里同時(shí)使用了UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1三種閃存芯片的事件引發(fā)眾多消費(fèi)者、各大媒體熱議。接下來(lái)旭日大數(shù)據(jù)對(duì)eMMC和UFS這兩種閃存為讀者一一解讀。

  eMMC與UFS之間的技術(shù)差異

  eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口,自身集成MMC Controller,存儲(chǔ)單元與NANDFLASH相同。針對(duì)Flash的特性,eMMC產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù),包括錯(cuò)誤探測(cè)和糾正,F(xiàn)lash平均擦寫(xiě),壞塊管理,掉電保護(hù)等技術(shù),作用相當(dāng)于PC上的SSD固態(tài)硬盤(pán)。2015年前所有主流的智能手機(jī)和平板電腦都采用這種存儲(chǔ)介質(zhì),而且不同版本讀取速度也存在差異,eMMC 4.4的讀取速度大約為104MB/s、eMMC 4.5則為200MB/s。而2013年首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品,其讀取速度為400MB/s,而就最新的eMMC 5.1規(guī)范來(lái)說(shuō),其理論帶寬為600MB/s左右。

  UFS全稱是“Universal Flash Storage”,其實(shí)是eMMC的升級(jí)版,不僅對(duì)傳輸接口進(jìn)行了升級(jí),而且還可加密,安全性更佳。電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)(即JEDC)在2011年發(fā)布了第一代通用閃存存儲(chǔ)(即UFS),2013年又發(fā)布了UFS 2.0的新一代閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),UFS 2.0閃存讀寫(xiě)速度理論上可以達(dá)到1400MB/s,不僅比eMMC有更大的優(yōu)勢(shì),甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見(jiàn)絀。2016年3月,JEDEC又發(fā)布了UFS 2.1。它是UFS 2.0的迭代版,對(duì)早期的版本進(jìn)行了部分改進(jìn),進(jìn)一步強(qiáng)化它的優(yōu)勢(shì)。

  說(shuō)了這么多eMMC和UFS的字面意義,接下里我們從兩者的結(jié)構(gòu)上解析它們之間的差異。eMMC閃存基于并行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)打造,其內(nèi)部存儲(chǔ)單元與主控之間擁有8個(gè)數(shù)據(jù)通道,傳輸數(shù)據(jù)時(shí)8個(gè)通道同步工作,工作模式為半雙工,也就是說(shuō)每個(gè)通道都可以進(jìn)行讀寫(xiě)傳輸,但同一時(shí)刻只能執(zhí)行讀或者寫(xiě)的操作,與PC上已經(jīng)淘汰的IDE接口硬盤(pán)很是相似。
 
華為P10混用閃存,背后UFS和eMMC價(jià)格只相差7%
 
  而UFS閃存則是基于串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)打造,其內(nèi)部存儲(chǔ)單元與主控之間雖然只有兩個(gè)數(shù)據(jù)通道,但由于采用串行數(shù)據(jù)傳輸,其實(shí)際數(shù)據(jù)傳輸時(shí)速遠(yuǎn)超基于并行技術(shù)的eMMC閃存。此外UFS閃存支持的是全雙工模式,所有數(shù)據(jù)通道均可以同時(shí)執(zhí)行讀寫(xiě)操作,在數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的響應(yīng)速度上也要凌駕于eMMC閃存。

  UFS 2.0規(guī)范分為兩部分,第一部分是UFS HS-G2規(guī)范,也就是我們常說(shuō)的UFS 2.0,其單通道單向的理論帶寬就可以達(dá)到1.45Gbps的水平,雙通道雙向的理論帶寬就是5.8Gbps;而第二部分的UFS HS-G3標(biāo)準(zhǔn),也就是我們常說(shuō)的UFS 2.1,其理論帶寬更是UFS 2.0的翻倍,達(dá)到11.6Gbps。

華為P10混用閃存,背后UFS和eMMC價(jià)格只相差7%

  當(dāng)然了以上只是理論帶寬,在實(shí)際產(chǎn)品中我們很難看到有可以把理論帶寬全部用完的產(chǎn)品,不過(guò)一般來(lái)說(shuō)基于UFS 2.0規(guī)范的存儲(chǔ)設(shè)備在性能上多少是要領(lǐng)先于eMMC規(guī)范產(chǎn)品。以三星提供的數(shù)據(jù)顯示,UFS 2.0閃存的連續(xù)讀寫(xiě)速度為350MB/s和150MB/s,而eMMC 5.1閃存的連續(xù)讀寫(xiě)速度則為250MB/s和125MB/s,比起UFS2.0閃存確實(shí)要遜色一些。

  UFS產(chǎn)能只有eMMC產(chǎn)能的九分之一

  當(dāng)然,雖說(shuō)UFS2.0有諸多優(yōu)勢(shì),但由于UFS2.0發(fā)展時(shí)間不長(zhǎng),工藝相對(duì)于eMMC5.1稍顯落后,在產(chǎn)能方面不能夠進(jìn)行全面普及,目前國(guó)際上UFS產(chǎn)能主要集中在三星、海力士和東芝三家巨頭存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商。根據(jù)旭日大數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),2016年eMMC 4.x、eMMC 5.x、UFS的產(chǎn)能比例大約是2:7:1。
 
華為P10混用閃存,背后UFS和eMMC價(jià)格只相差7%
 
  回首2016年,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢(shì)頭持續(xù)上揚(yáng),閃存價(jià)格一路飆升到2015年年初水平,可見(jiàn)去年一整年閃存的缺貨有多嚴(yán)重。在缺貨的大背景下,終端廠商被迫做出多種方案來(lái)滿足消費(fèi)者需求。

  UFS和eMMC之間價(jià)格到底差多少

  在UFS和eMMC兩者產(chǎn)能差距如此之大的情況下,兩者的價(jià)格之間的差距是否很大呢?根據(jù)旭日大數(shù)據(jù)對(duì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格的監(jiān)測(cè),從三星64GB容量的UFS 2.0和UFS 2.1的市場(chǎng)價(jià)格相差不大,故對(duì)2017年第一季度的eMMC 5.x和UFS 2.x市場(chǎng)價(jià)格進(jìn)行了統(tǒng)計(jì),32GB容量的UFS 2.x的價(jià)格僅僅比32GB容量的eMMC 5.x高出6.07%,而64GB、128GB的UFS 2.x價(jià)格也只比eMMC 5.x價(jià)格分別高出7.67%、7.41%。

華為P10混用閃存,背后UFS和eMMC價(jià)格只相差7%

  針對(duì)華為P10閃存事件,華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東微博上的回復(fù)“最近關(guān)于P10系列手機(jī)閃存同時(shí)采用UFS和eMMC兩種方案的問(wèn)題,核心原因是供應(yīng)鏈閃存的嚴(yán)重缺貨,至今我們的Flash存儲(chǔ)仍然在缺貨之中。我們?cè)谲浻布穆?lián)合優(yōu)化設(shè)計(jì)上,已經(jīng)確保了即便使用eMMC存儲(chǔ)的,仍然保持良好的實(shí)際使用性能體驗(yàn)”,默認(rèn)了華為P10系列手機(jī)閃存確實(shí)采用了UFS和eMMC兩種方案。誠(chéng)然,在閃存嚴(yán)重缺貨的背景下,終端手機(jī)廠商針對(duì)閃存應(yīng)用確實(shí)會(huì)存在多種方案,就拿最受追捧的iPhone 7來(lái)說(shuō)吧。

  去年9月,蘋(píng)果發(fā)布了iPhone 7系列機(jī)型,發(fā)布不久就有網(wǎng)友對(duì)該系列機(jī)型進(jìn)行測(cè)試,并且爆料稱iPhone 7閃存運(yùn)用了MLC、TLC兩種閃存。TLC即Triple-Level Cell的縮寫(xiě),是閃存的一種制造工藝,相比SLC閃存每個(gè)存儲(chǔ)單元只能保存1bit數(shù)據(jù),MLC閃存的存儲(chǔ)單元可保存2bit,TLC則可保存3bit。TLC利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息,存儲(chǔ)密度理論上較之MLC閃存擴(kuò)大了0.5倍??赡苡腥藭?huì)說(shuō)這不就是個(gè)集成度多少的問(wèn)題嗎?事實(shí)不是這樣,無(wú)論是SLC、MLC、SLC其一個(gè)單元本身的晶體管數(shù)量是相似的,也就是說(shuō)我們用物理上差不多的東西儲(chǔ)存了更多的信息。但是存儲(chǔ)更多的信息就等于帶來(lái)了更多不穩(wěn)定。但TLC制造成本比較低,僅有MLC閃存的50%,不過(guò)使用壽命和讀寫(xiě)速度就要比MLC低很多了。而且通過(guò)專業(yè)機(jī)構(gòu)的拆解我們知道, iPhone7 和 iPhone7 Plus 的閃存供貨商有兩家,一家是東芝(Toshiba THGBX6T0T8LLFXE 128 GB NAND ),一家是SK海力士(SKHynix H23Q1T8QK2MYS 128 GB NAND )。

  華為采用UFS和eMMC兩種方案。從供應(yīng)鏈情況分析,全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能不足,終端需求不斷增長(zhǎng)的情況下,多種閃存公用成為滿足消費(fèi)者對(duì)內(nèi)存需求首選方案;從價(jià)格上分析,相同容量的UFS和eMMC價(jià)格相差只有7%左右,作為全球第三大智能手機(jī)品牌為了縮減這一點(diǎn)成本而自毀名聲顯然不是明智之舉;再?gòu)男阅苌戏治?,近幾年各大手機(jī)品牌跑分比較頻頻,跑分始終只能是跑分,并不能代表實(shí)際體驗(yàn)。

  華為P10同時(shí)用eMMC和UFS,此舉確實(shí)是欺騙了消費(fèi)者,給了友商可乘之機(jī),也把自身推上了風(fēng)口浪尖。但是從其背后我們看到的是目前存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能不足,市場(chǎng)被三星、海力士、東芝、鎂光等海外企業(yè)占據(jù),國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)短板愈發(fā)明顯,國(guó)產(chǎn)手機(jī)命脈被海外企業(yè)把持。

  更多手機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)向請(qǐng)關(guān)注旭日大數(shù)據(jù)

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