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國產(chǎn)內(nèi)存芯片正加速發(fā)展 何時才能徹底打破壟斷?

隨著國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)投入的加大,國內(nèi)存儲器行業(yè)也將迎來加速發(fā)展,雖然在短期內(nèi)難以撼動三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面,但未來憑借國內(nèi)龐大的內(nèi)需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力,以及具國際水準的產(chǎn)能,必將在全球半導體產(chǎn)業(yè)擁有一席之地。
   目前在全球的消費電子市場上,存儲器是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細分,又可分為DRAM、NAND Flash與Nor Flash三種。
 
  投資存儲芯片領(lǐng)域1500億美元,我國幾乎表明了自給自足的決心。目前國內(nèi)已有三家企業(yè)已經(jīng)進入這一領(lǐng)域,合肥長鑫和長江存儲分別在DRAM和NAND FLASH技術(shù)工藝的擴展和發(fā)展。福建晉華曾經(jīng)是第三家,但由于美國商務部對其DRAM設(shè)備、器件的禁售,導致其暫陷入困境。
 
  紫光集團是中國發(fā)展存儲芯片的領(lǐng)頭羊,成立長江存儲,研發(fā)、生存NAND閃存,還有做DDR內(nèi)存的紫光國微等子公司。
 
  根據(jù)長江存儲和合肥長鑫的產(chǎn)品發(fā)展路線圖。到2020年,長江存儲直接跳躍到128層3D NAND的目標,并消除從64層到128層的過程,且繞開主要NAND制造商生產(chǎn)的96層閃存芯片。到2021年,分別在NAND FLASH和DRAM的產(chǎn)品研發(fā)進度上取得突破,后者將完成17nm的研發(fā)。
 
  存儲器領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的發(fā)展,由全球六家公司控制,分別為三星,東芝,美光,西部數(shù)據(jù),SK海力士和英特爾。DRAM市場更加集中,只有三家公司生產(chǎn)幾乎所有的DRAM芯片。它們分別是三星,SK海力士和美光。
 
  反觀國內(nèi),長江存儲著力于NAND FLASH的生產(chǎn),合肥長鑫致力于DRAM的生產(chǎn)。
 
  除武漢和合肥外,我國另外三個城市也正在建設(shè)存儲器工廠。同時,晉江也可能會開始DRAM生產(chǎn),但是目前由于法律問題,參與其中的公司福建晉華目前處于困境。
 
  隨著國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)投入的加大,國內(nèi)存儲器行業(yè)也將迎來加速發(fā)展,雖然在短期內(nèi)難以撼動三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面,但未來憑借國內(nèi)龐大的內(nèi)需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力,以及具國際水準的產(chǎn)能,必將在全球半導體產(chǎn)業(yè)擁有一席之地。
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